| Zeitraum | 16 Sept. 2018 → 21 Sept. 2018 |
|---|---|
| Veranstaltungstyp | Konferenz |
| Ort | Gothenburg, SchwedenAuf Karte anzeigen |
| Bekanntheitsgrad | International |
ASJC Scopus Sachgebiete
- Elektrotechnik und Elektronik
- Strahlung
- Kern- und Hochenergiephysik
- Modellierung und Simulation
Verbundene Inhalte
-
Veröffentlichungen
-
Modeling of annular gate MOS transistors
Publikation: Konferenzbeitrag › Poster › Begutachtung
-
Low TID effects on MOS transistors
Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Konferenzband › Beitrag in einem Konferenzband › Begutachtung
-
Modeling of annular gate MOS transistors
Publikation: Konferenzbeitrag › Paper › Begutachtung
-
Low TID effects on MOS transistors
Publikation: Konferenzbeitrag › Paper › Begutachtung
-
Modeling of annular gate MOS transistor
Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Konferenzband › Beitrag in einem Konferenzband › Begutachtung
-
Low TID effects on MOS transistors
Publikation: Konferenzbeitrag › Poster › Begutachtung
-
Aktivitäten
-
Low TID effects on MOS transistors
Aktivität: Vortrag oder Präsentation › Posterpräsentation › Science to science
-
Modeling of annular gate MOS transistors
Aktivität: Vortrag oder Präsentation › Posterpräsentation › Science to science