High-resolution cross-sectional analysis of the interface between SiC and SiO2 in a MOSFET device via atomic resolution STEM

Aktivität: Vortrag oder Präsentation › Vortrag bei Konferenz oder Fachtagung › Science to science

Zeitraum23 Sept. 2019 → 26 Sept. 2019
Ereignistitel30th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis
VeranstaltungstypKonferenz
OrtToulouse , FrankreichAuf Karte anzeigen
BekanntheitsgradInternational

ASJC Scopus Sachgebiete

  • Werkstoffwissenschaften (insg.)

Fields of Expertise

  • Advanced Materials Science

Treatment code (Nähere Zuordnung)

  • Basic - Fundamental (Grundlagenforschung)