Modeling of annular gate MOS transistors

Varvara Bezhenova (Redner/in)
Michalowska-Forsyth, A. M. (Beitragende/r)

Institut für Elektronik (4390)

Aktivität: Vortrag oder Präsentation › Posterpräsentation › Science to science

Zeitraum	19 Sep. 2018
Ereignistitel	Conference on Radiation Effects on Components and Systems
Veranstaltungstyp	Konferenz
Ort	Gothenburg, SchwedenAuf Karte anzeigen
Bekanntheitsgrad	International

ASJC Scopus Sachgebiete

Elektrotechnik und Elektronik
Modellierung und Simulation
Strahlung

Verbundene Inhalte

Veröffentlichungen
Modeling of annular gate MOS transistor
Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Konferenzband › Beitrag in einem Konferenzband › Begutachtung
Modeling of annular gate MOS transistors
Publikation: Konferenzbeitrag › Paper › Begutachtung
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Publikation: Konferenzbeitrag › Poster › Begutachtung

Aktivitäten
Conference on Radiation Effects on Components and Systems
Aktivität: Teilnahme an / Organisation von › Konferenz oder Fachtagung (Teilnahme an/Organisation von)