Modeling of annular gate MOS transistors

Aktivität: Vortrag oder PräsentationPosterpräsentationScience to science

Zeitraum19 Sept. 2018
Ereignistitel18th Conference on Radiation Effects on Components and Systems : RADECS 2018
VeranstaltungstypKonferenz
OrtGothenburg, SchwedenAuf Karte anzeigen
BekanntheitsgradInternational

ASJC Scopus Sachgebiete

  • Elektrotechnik und Elektronik
  • Modellierung und Simulation
  • Strahlung