In der Halbleiterindustrie werden die Oberflächen von Wafern aus Silizium vor einer Einbringung der elektronischen Schaltkreisstrukturen mit Hilfe flüssiger Behandlungsmittel geätzt und vorbereitet. Hierzu dienen Anlagen, wie sie der Kooperationspartner entwickelt und vermarktet. Dort werden die Siliziumscheiben auf eine rotierende Halterung aufgespannt und von oben mittels einer Zufuhreinrichtung mit dem Ätzmittel benetzt. Durch die Rotation der Scheibe soll dieses Ätzmittel möglichst gleichmäßig auf der Scheibe verteilt werden. Die Drehbewegung hat aber gleichzeitig zur Konsequenz, dass die Flüssigkeit vom Rand der Scheibe in Form von Tropfen abgeschleudert wird. Ein Luftstrom durch die Anlage, der zur Absaugung toxischer Gase oder Dämpfe aus dem Ätzprozess erzeugt wird, kann diese Tropfen in Kammern transportieren, die eigentlich zur Führung anderer Flüssigkeiten bestimmt sind (cross contamination). Die experimentellen Untersuchungen dieser Diplomarbeit sollten zur Entwicklung von Maßnahmen führen, die diesen Verlust an Ätzmedium und die Vermischung verschiedener Medien vermeiden können.