In der Halbleitertechnik spielen Barriere-Schichten eine zunehmend größere Rolle. Niobnitrid-Schichten verhindern z.B. Cu-Diffusion. in Halbleiterbauelementen.
Mittels RTP (=Rapid Thermal Processing) aufgebrachte Niobnitride auf SiO2 (in Schichtdicken von ca. 200nm) werden mittels TEM, EFTEM, EELS-Linescans und ELNES(=EELS-Nahkantenfeinstrukturen) analysiert und charakterisiert. Die Ergebnisse werden mit anderen Meßmethoden wie SNMS und XRD verglichen.
Erkunden Sie die Forschungsthemen, die von diesem Projekt angesprochen werden. Diese Bezeichnungen werden den ihnen zugrunde liegenden Bewilligungen/Fördermitteln entsprechend generiert. Zusammen bilden sie einen einzigartigen Fingerprint.