Charakterisierung von Niob-Nitrid-Schichten auf SiO2 mittels EELS und EFTEM

  • Brunegger, Albert (Teilnehmer (Co-Investigator))
  • Kothleitner, Gerald (Projektleiter (Principal Investigator))
  • Rogers, Michael (Teilnehmer (Co-Investigator))

Projekt: Forschungsprojekt

Projektdetails

Beschreibung

In der Halbleitertechnik spielen Barriere-Schichten eine zunehmend größere Rolle. Niobnitrid-Schichten verhindern z.B. Cu-Diffusion. in Halbleiterbauelementen. Mittels RTP (=Rapid Thermal Processing) aufgebrachte Niobnitride auf SiO2 (in Schichtdicken von ca. 200nm) werden mittels TEM, EFTEM, EELS-Linescans und ELNES(=EELS-Nahkantenfeinstrukturen) analysiert und charakterisiert. Die Ergebnisse werden mit anderen Meßmethoden wie SNMS und XRD verglichen.
StatusAbgeschlossen
Tatsächlicher Beginn/ -es Ende1/06/9931/12/09

Fingerprint

Erkunden Sie die Forschungsthemen, die von diesem Projekt angesprochen werden. Diese Bezeichnungen werden den ihnen zugrunde liegenden Bewilligungen/Fördermitteln entsprechend generiert. Zusammen bilden sie einen einzigartigen Fingerprint.