EFTEM-EELS Untersuchung von dünnen RTP-Vanadiumnitrid-Schichten auf Silizium

  • Warbichler, Peter (Teilnehmer (Co-Investigator))
  • Brunegger, Albert (Teilnehmer (Co-Investigator))
  • Hofer, Ferdinand (Projektleiter (Principal Investigator))
  • Brunegger, Margit (Teilnehmer (Co-Investigator))

Projekt: Arbeitsgebiet

Projektdetails

Beschreibung

Dünne VN-Schichten, die mittels RTP-Prozess auf Si-Einkristallen abgeschieden wurden, werden mittels Analytischer Elektronenmikroskopie in bezug auf die lokale chemische Zusammensetzung analysiert. Mit Hilfe von EFTEM-Elementverteilungsbildern und STEM-EELS Linescans konnten anhand von TEM-Querschnittsproben die Verteilung der Elemente V, N und O bestimmt werden. Die Ergebnisse wurden mit SIMS-Messungen verglichen.
StatusAbgeschlossen
Tatsächlicher Beginn/ -es Ende1/05/99 → 31/12/01

Fingerprint

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