Erratum to: Design and theoretical comparison of input ESD devices in 180 nm CMOS with focus on low capacitance (e & i Elektrotechnik und Informationstechnik, (2018), 135, 1, (69-75), 10.1007/s00502-017-0569-0)

Alicja Michalowska-Forsyth*, Patrick Schrey, Bernd Deutschmann

*Korrespondierende/r Autor/-in für diese Arbeit

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelBegutachtung

Abstract

Erratum to: Elektrotechnik & Informationstechnik (2018) 135/1: 69–75https://doi.org/10.1007/s00502-017-0569-0 Following Acknowledgement was missing: The financial support of the presented research work by the Austrian Science Fund (FWF) under the project number T 756-N20 is gratefully acknowledged.

Originalspracheenglisch
Seiten (von - bis)224
FachzeitschriftElektrotechnik und Informationstechnik
Jahrgang136
Ausgabenummer2
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2019

ASJC Scopus subject areas

  • Elektrotechnik und Elektronik

Dieses zitieren