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Abstract
Enclosed layout is an effective way to mitigate radiation induced leakage current in NMOS transistors. The unconventional shape of such device makes modeling a challenging task. Evaluation of equivalent aspect ratio estimation is complicated by additional stress effects, such as STI stress. We incorporate the STI stress effect into simulation for enclosed layout transistor in order to evaluate accuracy of two equivalent aspect ratio evaluation models: the well-known mid-line approximation and the recently introduced isosceles trapezoid approximation
Originalsprache | englisch |
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Titel | 2018 18th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS) |
Erscheinungsort | Gothenburg |
Seitenumfang | 4 |
DOIs | |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2021 |
Veranstaltung | 18th Conference on Radiation Effects on Components and Systems : RADECS 2018 - Gothenburg, Schweden Dauer: 16 Sept. 2018 → 21 Sept. 2018 http://www.radecs2018.org/ |
Konferenz
Konferenz | 18th Conference on Radiation Effects on Components and Systems |
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Kurztitel | RADECS 2018 |
Land/Gebiet | Schweden |
Ort | Gothenburg |
Zeitraum | 16/09/18 → 21/09/18 |
Internetadresse |
ASJC Scopus subject areas
- Elektrotechnik und Elektronik
- Strahlung
- Modellierung und Simulation
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18th Conference on Radiation Effects on Components and Systems
Varvara Bezhenova (Teilnehmer/-in) & Alicja Malgorzata Michalowska-Forsyth (Teilnehmer/-in)
16 Sept. 2018 → 21 Sept. 2018Aktivität: Teilnahme an / Organisation von › Konferenz oder Fachtagung (Teilnahme an/Organisation von)
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Modeling of annular gate MOS transistors
Varvara Bezhenova (Redner/in) & Alicja Malgorzata Michalowska-Forsyth (Beitragende/r)
19 Sept. 2018Aktivität: Vortrag oder Präsentation › Posterpräsentation › Science to science