Optical and electrical characterization of chemically and photopolymerized C60 thin films on silicon substrates

N. L. Dmitruk*, O. Yu Borkovskaya, I. B. Mamontova, O. S. Kondratenko, D. O. Naumenko, E. V. Basiuk (Golovataya-Dzhymbeeva), E. Alvarez-Zauco

*Korrespondierende/r Autor/-in für diese Arbeit

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelBegutachtung

Abstract

A comparative characterization of C60 thin films grown on silicon substrate by Physical Vapor Deposition and polymerized by chemical reaction with 1,8-octanediamine vapor or UV Pulsed laser irradiation has been carried out by means of Atomic Force Microscopy, and optical reflectance, transmittance and photoluminescence spectroscopies. The photovoltaic response and electrical characteristics of Au/C60/Si diode structures have been investigated. The greatest photoluminescence efficiency and light transmittance, and at the same time the least photocurrent of diode structure were observed for chemically polymerized C60. Found differences in morphology, optical, photoelectric and electrical properties of C60 films polymerized by two methods indicate a difference in their composition.

Originalspracheenglisch
Seiten (von - bis)7716-7720
Seitenumfang5
FachzeitschriftThin Solid Films
Jahrgang515
Ausgabenummer19 SPEC. ISS.
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 16 Juli 2007
Extern publiziertJa

ASJC Scopus subject areas

  • Elektronische, optische und magnetische Materialien
  • Oberflächen und Grenzflächen
  • Oberflächen, Beschichtungen und Folien
  • Metalle und Legierungen
  • Werkstoffchemie

Fingerprint

Untersuchen Sie die Forschungsthemen von „Optical and electrical characterization of chemically and photopolymerized C60 thin films on silicon substrates“. Zusammen bilden sie einen einzigartigen Fingerprint.

Dieses zitieren