Simple Dflip-flop Behavioral Model of ESD Immunity for use in the ISO 10605 Standard

Guangyao Shen*, V Khilkevich, S Yang, D Pommerenke, H Aichele, D Eichel, C Keller

*Korrespondierende/r Autor/-in für diese Arbeit

Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/KonferenzbandBeitrag in einem KonferenzbandBegutachtung

Abstract

As the ESD stress is becoming more and more important for integrated circuits (ICs), the ability to predict IC failures becomes critical. In this paper, an 18 MHz D flip-flop IC is characterized and its behavioral model is presented. The resulting IC model is validated in the setup according to the ISO 10605 standard. A complete model of the setup combining the IC behavioral model and the passive parts of the setup is built to estimate the failure prediction accuracy in a totally simulated environment. The results show that the model can predict the triggering level with the error of less than 20%.
Originalspracheenglisch
Titel2014 IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility, EMC
Seiten455-459
Seitenumfang5
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1 Jan. 2014
Extern publiziertJa
Veranstaltung2014 IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility: EMC 2014 - Raleigh, USA / Vereinigte Staaten
Dauer: 3 Aug. 20148 Aug. 2014

Konferenz

Konferenz2014 IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility
Land/GebietUSA / Vereinigte Staaten
OrtRaleigh
Zeitraum3/08/148/08/14

Fingerprint

Untersuchen Sie die Forschungsthemen von „Simple Dflip-flop Behavioral Model of ESD Immunity for use in the ISO 10605 Standard“. Zusammen bilden sie einen einzigartigen Fingerprint.

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