FWF - NeRAM - Rowhammer-Angriffe und Schadensbegrenzung der nächsten Generation

DRAM speichert Daten in Speicherzellen, in Arrays aus Kondensatorenund Transistoren. Hersteller erhöhen ständig die Dichte dieser Arrays, um Speicherkapazität, Leistung und Effizienz zu optimieren. Die Dichte ist so hoch, dass ein schnelles Lesen Bit-Flips in benachbarten Speicherzeilen verursachen kann. Die Ausnutzung dieses Rowhammer-Effekts kann die Speicherisolation und damit die Systemsicherheit untergraben. In den letzten Jahren ist Rowhammer aus zwei Gründen zu einem größeren Sicherheitsproblem geworden: Erstens hat sich die Anzahl der für einen Angriff erforderlichen Zugriffe um den Faktor 30 verringert. Zweitens wurden in vorheriger Forschung verschiedene Wege gefunden um Rowhammer in Privilege-Escalation Angriffen auszunutzen. Drittens wurden frühere Versuche Rowhammer zu verhindern in aktueller Forschung bereits umgangen.