A dynamic model of power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor half-bridges for the fast simulation of switching induced electromagnetic emissions

D. Büchl*, W. Kemmetmüller, T. Glück, B. Deutschmann, A. Kugi

*Korrespondierende/r Autor/-in für diese Arbeit

Publikation: Beitrag in einer Fachzeitschrift › Artikel › Begutachtung

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