A Schrödinger-Poisson-Boltzmann system applied to the charge carrier transport in strained silicon

Gregor Toschkoff, Gerald Ossig, Peter Lichtenberger, Karin Zojer, Ferdinand Schürrer

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelBegutachtung

Originalspracheenglisch
Seiten (von - bis)239-246
FachzeitschriftIl nuovo cimento della Società Italiana di Fisica / C
Jahrgang33 C
Ausgabenummer1
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2010

Fields of Expertise

  • Advanced Materials Science

Treatment code (Nähere Zuordnung)

  • Theoretical

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