Analytische Charakterisierung von dünnen Schichten in Halbleiterbauelementen und magnetischen Schichtsystemen mittels EFTEM und EELS

Grogger, Werner (Projektleiter (Principal Investigator))
Hofer, Ferdinand (Teilnehmer (Co-Investigator))
Brunegger, Albert (Teilnehmer (Co-Investigator))
Warbichler, Peter (Teilnehmer (Co-Investigator))
Kothleitner, Gerald (Teilnehmer (Co-Investigator))

Institut für Elektronenmikroskopie und Nanoanalytik (5190)

Projekt: Arbeitsgebiet

Beschreibung

Mit Hilfe von EFTEM-Elementverteilungsbildern und magnetischen schichtsystemen chemische Defekte mit Nanometerdimensionen in Halbleiterbauelementen detektiert, die dann mit quantitativer EELS-Spektrometrie analysiert werden. Mit Hilfe eines gemeinsam mit Gatan entwickelten Programmes kann das STEM und das Energiefilter so gesteuert werden, sodass EELS-Linescans mit Nanometerauflösung aufgenommen werden können.

Status	Abgeschlossen
Tatsächlicher Beginn/ -es Ende	1/01/99 → 31/12/05

1 Artikel

Width determination of SiO2 films in Si-based devices using low-loss EFTEM: image contrast as a function of sample thickness
Schaffer, B., Grogger, W. & Hofer, F., 2003, in: Micron. 34, S. 1-7
Publikation: Beitrag in einer Fachzeitschrift › Artikel › Begutachtung

Analytische Charakterisierung von dünnen Schichten in Halbleiterbauelementen und magnetischen Schichtsystemen mittels EFTEM und EELS

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Width determination of SiO2 films in Si-based devices using low-loss EFTEM: image contrast as a function of sample thickness

Analytische Charakterisierung von dünnen Schichten in Halbleiterbauelementen und magnetischen Schichtsystemen mittels EFTEM und EELS

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Publikationen

Width determination of SiO2 films in Si-based devices using low-loss EFTEM: image contrast as a function of sample thickness